Entradas escritas en noviembre de 2010 ↓

¡Cuidado que quema! (>1411ºC)

(^natSi al rojo vivo siendo golpeado por un cañón de electrones)

Esto lo hacemos con el objetivo de crecer una capa protectora (buffer layer) de ^natSi con unos pocos cientos de nanómetros sobre la oblea de silicio para evitar posibles impurezas que haya en la superficie y asegurar una superficie cristalina perfecta sobre la que luego crecer capas isotópicas de ²⁸Si, ²⁹Si ó ³⁰Si. Podemos llegar a controlar el espesor de las mismas hasta el nivel de capas atómicas. Al final se pone otra capa protectora (cap layer) de apenas diez o veinte nanómetros.

¿Para qué tener un sandwich de silicio?, pues porque necesitamos tener átomos distintos de silicio para poder ver cómo se mueven unos con respecto a los otros cuando hacemos una implantación iónica de dopantes (por ejemplo, arsénico o boro). Si sólo tuviéramos un tipo de silicio no se vería ninguna diferencia entre antes y después del implante.

Es como derretir varias lonchas de queso, una sobre la otra. Si son del mismo tipo de queso, va a quedar una pasta homogénea. Si son de distintos quesos, podemos ver las inhomogeneidades, y observar el desarrollo de las mismas a medida que seguimos calentándolo e introduciendo impurezas (tropezones de pan) en el mismo.

Resumiendo, nuestros experimentos son como cocinar una fondue, pero mucho más caliente y con arsénico dentro.

Tres fotos sin ninguna relación entre ellas pero que las tenía por ahí esperando a ser publicadas.

1. Un restaurante cercano al campus de Mita (el campus central) de la Universidad de Keio

2. Detalle de los refuerzos contra terremotos en los indicadores del metro de Yokohama.

3. Indicaciones para ciegos en un tren japonés. Ojo cómo indica que está en la puerta tres del primer vagón.

Este es en el estado en el que ha quedado la pizarra después de la enésima discusión del paper. Esta vez ha entrado en juego el profesorito.

Nos hemos tirado cerca de una hora simplemente para hacer correcciones a la introducción. Porque en la ciencia, al igual que en cualquier otro ámbito de la sociedad, influye mucho el cómo presentes las cosas para que te las acepten en las principales publicaciones. Es una de las cosas que no me gusta, que me está llevando el mismo de tiempo la publicación que la investigación en sí misma. Os dejo el primer párrafo de la introducción, así a los que os interese podéis ver la motivación de mi investigación.

Understanding amorphization process in semiconductors is a key point for the ongoing miniaturization of nanoelectronic devices. The amorphization is a desirable effect because it limits ion channeling and it is easily annealed out leaving a low defect density and high dopant activation region after recrystalization. However, end-of-range (EOR) defects remain in the section adjacent to the amorphous/crystalline (a/c) interface. These defects are responsible for transient anomalies of dopant diffusion and current leakage. Therefore it is critical to accurately predict the position of this a/c interface in order to be able to control these undesirable effects.

De momento no quiero poner más en el blog, no porque guardemos grandes secretos, sino porque todavía sigue cogiendo forma y no me apetece que sea de dominio público hasta que se consiga publicar (o no) el paper. Aunque si me preguntáis personalmente no tendré problemas en contaros más detalles.