¡Cuidado que quema! (>1411ºC)

(^natSi al rojo vivo siendo golpeado por un cañón de electrones)

Esto lo hacemos con el objetivo de crecer una capa protectora (buffer layer) de ^natSi con unos pocos cientos de nanómetros sobre la oblea de silicio para evitar posibles impurezas que haya en la superficie y asegurar una superficie cristalina perfecta sobre la que luego crecer capas isotópicas de ²⁸Si, ²⁹Si ó ³⁰Si. Podemos llegar a controlar el espesor de las mismas hasta el nivel de capas atómicas. Al final se pone otra capa protectora (cap layer) de apenas diez o veinte nanómetros.

¿Para qué tener un sandwich de silicio?, pues porque necesitamos tener átomos distintos de silicio para poder ver cómo se mueven unos con respecto a los otros cuando hacemos una implantación iónica de dopantes (por ejemplo, arsénico o boro). Si sólo tuviéramos un tipo de silicio no se vería ninguna diferencia entre antes y después del implante.

Es como derretir varias lonchas de queso, una sobre la otra. Si son del mismo tipo de queso, va a quedar una pasta homogénea. Si son de distintos quesos, podemos ver las inhomogeneidades, y observar el desarrollo de las mismas a medida que seguimos calentándolo e introduciendo impurezas (tropezones de pan) en el mismo.

Resumiendo, nuestros experimentos son como cocinar una fondue, pero mucho más caliente y con arsénico dentro.