Este es en el estado en el que ha quedado la pizarra después de la enésima discusión del paper. Esta vez ha entrado en juego el profesorito.

Nos hemos tirado cerca de una hora simplemente para hacer correcciones a la introducción. Porque en la ciencia, al igual que en cualquier otro ámbito de la sociedad, influye mucho el cómo presentes las cosas para que te las acepten en las principales publicaciones. Es una de las cosas que no me gusta, que me está llevando el mismo de tiempo la publicación que la investigación en sí misma. Os dejo el primer párrafo de la introducción, así a los que os interese podéis ver la motivación de mi investigación.

Understanding amorphization process in semiconductors is a key point for the ongoing miniaturization of nanoelectronic devices. The amorphization is a desirable effect because it limits ion channeling and it is easily annealed out leaving a low defect density and high dopant activation region after recrystalization. However, end-of-range (EOR) defects remain in the section adjacent to the amorphous/crystalline (a/c) interface. These defects are responsible for transient anomalies of dopant diffusion and current leakage. Therefore it is critical to accurately predict the position of this a/c interface in order to be able to control these undesirable effects.

De momento no quiero poner más en el blog, no porque guardemos grandes secretos, sino porque todavía sigue cogiendo forma y no me apetece que sea de dominio público hasta que se consiga publicar (o no) el paper. Aunque si me preguntáis personalmente no tendré problemas en contaros más detalles.